دو شركت SK Hynix و توشیبا به عنوان تأمینكنندهی حافظههای NAND برای گوشی آیفون ۸، آیفون ۷ اس و آیفون ۷ اس پلاس، با بازدهی پایین تولید تراشههای حافظه 3D NAND مواجه هستند و
اپل نیز كه تصمیم دارد آیفونهای جدید خود را در حجم گستردهای تولید كند، با شركت
سامسونگ همكاری خواهد كرد تا كمبود ۳۰ درصدی تولید حافظهی NAND برای آیفونهای جدید برطرف شود.
در تعدادی از گوشیهای هوشمند، از حافظهی NAND استفاده میشود كه برای ذخیرهسازی اطلاعات غیرفرار كاربرد دارد و میتوان آن را معادل با دیسك سخت یا حافظههای SSD در رایانههای شخصی عنوان كرد. چیپهای حافظه 3D NAND، ساختاری چند لایه دارند؛ به به همین جهت، استفاده از این ساختار چند لایه برای ذخیرهسازی اطلاعات، باعث خواهد شد تا فضای ذخیرهسازی، ضمن ثابتماندن ابعاد حافظهی فلش افزایش پیدا كند.
استفاده از حافظههای 3D NAND در گوشیهای آیفون با آیفون ۷ و آیفون ۷ پلاس در سال ۲۰۱۶، رواج یافت و با این وجود، تأمینكنندگان برای تولید گستردهی آنها، همچنان با مشكل مواجه هستند. البته اگر پیشبینیها صحت داشته باشد، این وضعیت تا سال آیندهی میلادی ادامه خواهد داشت.
بنابراین، بدیهی است كه
اپل تمایلی به پذیرش خطر ندارد و همین موضوع باعث میشود تا این سازندهی كوپرتینویی، بهدنبال تولیدكنندهی دیگری برای تأمین تراشهی حافظهی 3D NAND برای گوشیهای آیفون ۲۰۱۷ باشد. گمان میرود كه بازدهی تولید حافظههای فلش مذكور توسط
سامسونگ، به اندازه كافی مناسب باشد تا
اپل را به دلیل كمبود حافظه 3D NAND، به دردسر نیاندازد.
در آیفون ۷، شركت
اپل از چیپهای حافظه فلش با فناوری NAND با ۴۷ لایه برای ذخیرهسازی اطلاعات، استفاده كرده است و گمان میرود كه آیفون ۸ به عنوان گوشی پرچمدار ۲۰۱۷ كوپرتینوییها به تراشهی NAND با ساختاری متشكل از ۶۴ لایه مجهز شده باشد. همانطور كه گفته شد، این تغییر باعث خواهد شد ضمن حفظ ابعاد چیپ حافظهی NAND، حجم گستردهتری از اطلاعات روی آیفونهای جدید شركت
اپل ذخیره شود.
آیفون ۸
اپل در دو نسخه با ۶۴ و ۲۵۶ گیگابایت حافظه عرضه خواهد شد و آیفون 7 اس و آیفون 7 اس پلاس مانند نسل قبل، در سه مدل با ۳۲، ۱۲۸ و ۲۵۶ گیگابایت حافظه معرفی میشود. در رابطه با این مدلها، پیشتر خواندید كه قابلیت شارژ بیسیم آیفونهای ۲۰۱۷ تا پایان سال جاری میلادی، بلااستفاده خواهد بود و همچنین، طراحی گوشی پرچمدار ۲۰۱۷
اپل با انتشار رندرهایی از كیس آیفون 8 نیز فاش شد.